MEMORIAS DA ATUALIDADE

DDR3 SDRAM

Comparação entre as Memórias DDR, DDR2 e DDR3.

Em engenharia eletrônica, DDR3 SDRAM ou Taxa Dupla de Transferência Nível Três de Memória Síncrona Dinâmica de Acesso Aleatório é uma interface de memória de acesso randomizado – RAM (Random Acess Memory) – usada para o grande armazenamento de dados utilizados em computadores ou outros dispositivos eletrônicos. É uma das várias implementações de RAM síncrona e dinâmica (SDRAM, Syncronous Dynamic RAM), ou seja, trabalha sincronizada com os ciclos de clock da placa-mãe, sem tempo de espera.
DDR3 SDRAM é uma melhoria sobre a tecnologia precedente DDR2 SDRAM. O primeiro benefício da DDR3 é a taxa de transferência duas vezes maior que a taxa da DDR2, de modo que permite taxas de barramento maiores, como também picos de transferência mais altos do que as memórias anteriores.
Não há redução significativa de latência (diferença de tempo entre o início de um evento e o momento em que seus efeitos tornam-se perceptíveis), já que isso não é uma característica da interface. Adicionalmente, o padrão DDR3 permite que um chip com capacidade entre 512 megabits e 8 gigabits use um módulo de memória de 16 gigabytes de maneira eficaz. Porém, cabe salientar que DDR3 é uma especificação de interface DRAM; ou seja, os atuais slots DRAM que armazenam os dados são iguais aos dos outros tipos de DRAM, e têm desempenho similar.

Índice [esconder] 1 Visão Geral 1.1 Latência 2 Extensões 3 Módulos 3.1 Módulos Padrão JEDEC 4 Referências 5 Ver Também

[editar] Visão Geral

A memória DDR3 consome cerca de 30% menos energia, se comparado aos módulos DDR2. Trabalha com voltagem de 1.5 V, menor que a 1.8 V da DDR2 ou os 2.5 V da DDR. O uso de voltagem 1.5 V funciona bem com a tecnologia de chips de 90 nanômetros da DDR3. Algumas indústrias ainda propõem o uso de uma porta dupla de transistores para reduzir a perda de energia.^[1]
De acordo com JEDEC^[2], órgão que regula os padrões de engenharia de semicondutores, a voltagem máxima recomendada é de 1.575 volts e deve ser considerada o máximo quando se busca a estabilidade da memória, assim como em servidores ou outros dispositivos de “missão crítica”. Além disso, o JEDEC diz que os módulos de memória devem resistir a, no máximo, 1.975 volts antes que ocorram danos permanentes, apesar de estes não serem garantidos a funcionar bem neste nível de energia.
O principal benefício da DDR3 vem da alta taxa de transferência, possível graças ao buffer de 8 bits; diferente dos 4 bits da DDR2 ou dos poucos 2 bits de buffer da DDR. Os módulos da DDR3 podem ainda transferir dados numa taxa entre 800 e 2400 MHz, usando ambos estados de um clock de 400/800 MHz (ciclo completo). Comparando com os anteriores, as taxas vão de 400 a 1066 MHz usando um clock de 200/533 MHz na DDR2; e de 200 a 400 MHz num clock de 100/200 MHz na DDR. Gráficos de alta performance foram os primeiros a exigir requisitos de banda tão altos, devido à vasta troca de informações entre os framebuffers.
Os primeiros protótipos de DDR3 foram anunciados no início de 2005. Produtos compatíveis com as placas-mãe do mercado apareceram em junho de 2007^[3] baseados no processador P35 “Bearlake” da Intel, com DIMMs com banda compatível até a usada no modelo DDR3-1600^[4]. Em Agosto de 2006, a Samsung anuncia suas memórias DDR3, com freqüencias que vão de 800 a 1333 MHz. Também prometeu para 2007 uma taxa de freqüencia de 1600 MHZ, transferindo a 25.6 GB/s. Em relação à capacidade de armazenamento não houve tanto avanço, mantendo a capacidade entre os 256MB e 2GB. O Intel Core i7, lançado em novembro de 2008, suporta apenas DDR3, conectando-se diretamente à memória ao invés de um chip intermediário. O primeiro soquete AM3 da AMD, Phenom II com quatro processadores, lançado em fevereiro de 2009, foi a primeira arquitetura da AMD a suportar DDR3.
Os DIMMs da DDR3 tem 240 pinos, o mesmo número da DDR2, e o mesmo tamanho; mas são eletricamente incompatíveis, além de possuir diferentes localizações^[5]. DDR3 SO-DIMMs (presentes em dispositivos móveis ou de pequeno porte) tem 204 pinos^[6].
A memória GDDR3, apesar do nome similar que causa confusão com DDR3, é uma tecnologia inteiramente diferente. GDDR3 vem sendo usada em placas gráficas de companhias como NVIDIA e ATI Technologies, e também faz parte do sistema de memória do Xbox 360 da Microsoft.

[editar] Latência

Enquanto a latência típica para um dispositivo JEDEC DDR2 era 5-5-5-15, o padrão de latência para um JEDEC DDR3-1066 é de 7-7-7-20 ou 7-7-7-24 para um DDR3-1333.
A latência da DDR3 é numericamente mais alta pois os ciclos de clock pelo qual ela foi medida são menores; porém, o atual intervalo de tempo é similar à latência da DDR2 (cerca de 10 nanossegundos). Há algumas melhorias pelo fato de a DDR3 geralmente usar processos de fabricação mais novos, mas esse não é a causa direta das mudanças na DDR3. Da mesma forma que as gerações anteriores, memórias DDR3 mais rápidas estarão disponíveis após o lançamento das primeiras versões da memória. A memória DDR3-2000, por exemplo, com latência de 9 ns (9-9-9-28) coincidiu com o lançamento do Intel Core i7^[7].

[editar] Extensões

A Intel Corporation apresentou oficialmente as especificações para o eXtreme Memory Profile (XMP) em 23 de março de 2007 para estimular aumento de performance às tradicionais especificações do JEDEC para DDR3 SDRAM^[8].

[editar] Módulos

[editar] Módulos Padrão JEDEC

Nome padrão	Clock de memória	Tempo de ciclo	Velocidade de clock	Taxa de dados	Nome do módulo	Pico de taxa de transferência	Tempos
DDR3-800	100 MHz	10 ns	400 MHz	800 MT/s	PC3-6400	6400 MB/s	5-5-5 6-6-6
DDR3-1066	133 MHz	7.5 ns	533 MHz	1066 MT/s	PC3-8500	8533 MB/s	6-6-6 7-7-7 8-8-8
DDR3-1333	166 MHz	6 ns	667 MHz	1333 MT/s	PC3-10600	10667 MB/s	7-7-7 8-8-8 9-9-9 10-10-10
DDR3-1600	200 MHz	5 ns	800 MHz	1600 MT/s	PC3-12800	12800 MB/s	8-8-8 9-9-9 10-10-10 11-11-11

Nota: Todas os dados listados na tabela acima são especificados pelo JEDEC como JESD79-3^[9].